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Leitungsmechanismus in Halbleitern
| Fachgebiet: | Elektrotechnik |
|---|---|
| Anwendung: | Halbleiter, Diode, Photoelement, Transistor, Verstärker |
| Dozent: | Prof. Dr.-Ing. Hans-Peter Beck |
|---|---|
| Stichworte: | Leitungsmechanismen: Leitfähigkeit fester Körper, Eigenleitung in Germanium, Entstehung des Energiebändermodells, Bändermodell bei Halbleitern, Störstellenleitung „N-Typ“, Majoritäten, Minoritäten, Störstellenleitung „P-Typ“, Majoritäten, Minoritäten, Hallgenerator Einfacher PN-Übergang: PN-Übergang, Kennlinien, Ventilwirkung einer Diode, Photoelement, photoemitierende Dioden Gesteuerte PN-Übergänge, Transistoren, Thyristoren: Grundprinzip, Transistoren – Grundeigenschaften und -schaltungen, PNP-Transistor, Verstärker, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor, MOSFET, Thyristoren – Grundeigenschaften, Zweitransistormodell |
| Skript: | Elektrotechnik für Ingenieure (Teil 2) |
| Kapitel, Seiten: | Kap. 6, S. E2/HL 1-22 (SS2011) |
| Aufzeichnung: | WS 2004/05, Video frei verfügbar: Vorlesung 10 29.06.2004 Startpunkt Thema: 1:03:12 Vorlesung 11 06.07.2004 |
| Gesamtlaufzeit: | 2 h 02 min |